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点火回路実験２" /> 前回に引き続き、点火用の新しいMOS-FETの実験です。
前回実験したMOS-FETでも性能向上してるんですが、ダイレクトイグニッションの並列だけが
対応できませんでした。
なので、同等性能かつ価格維持できるMOS-FETを探しました。
今回実験してみたのは一番左のMOS-FETです。
大きさは中くらいですね。
今までのMOS-FETより一回り小さい感じです。
MOS-FET単体のスペック的には、今までのものより格段によくなってて、お値段ちょっと高めです。
数値的に今までより低いのはW数で、今までが１５０Ｗ、新しいのが１３０Ｗです。
でも、ＭＯＳ－ＦＥＴ自体の消費電力が少なくなってるので最大Ｗ数が２０Ｗ下がっても問題ありません。
駆動するＩＧコイルの抵抗値によるんですが、今までのＭＯＳ－ＦＥＴでは↓こんな感じの消費電力になります。
ノーマルＩＧコイル → ４．４８Ｗ
ウオタニＩＧコイル、ダイレクトイグニッションコイル×１本 → ３０．５９Ｗ
ダイレクトイグニッション並列 → ８５．９Ｗ
いずれもコイルに通電しっぱなしの場合なので、走行時はこれの１／３程度です。
これが新しいＭＯＳ－ＦＥＴではこうなります。
ノーマルＩＧコイル → ３．１４Ｗ
ウオタニＩＧコイル、ダイレクトイグニッションコイル×１本 → ２３．３１Ｗ
ダイレクトイグニッション並列 → ７１．９９Ｗ
ダイレクトイグニッション並列の場合、今までのＭＯＳ－ＦＥＴが最大定格の５７％、
新しいＭＯＳ－ＦＥＴでは５５％と、MOS-FET自体が消費する電力は減っています。
なので、１３０Ｗに減っていても今までより余裕があるんです。
オシロでも計測してみましたが、今回は通電部分（ドエルタイム）をご紹介しますね。
赤が旧ＭＯＳ－ＦＥＴ、青が新ＭＯＳ－ＦＥＴです。
赤は１．９Ｖ、青は１．５Ｖ程度まで上がっていますね。
これは電圧が低く表示してるほうが電流を多く流せていることになってます。
青のほうが０．４Ｖほど低く表示してるので、より多くの電流を流せていることがわかります。
でも、通電はじめの立ち上がり部分はほとんど変わっていませんよね。
ということは、ＭＡＸに到達する時間は短くなっているってこと、つまりドエルタイムが短くても同じ点火力が
得られるということです。
ＭＯＳ－ＦＥＴの性能が向上したことで、ちょうど昇圧回路を使ったような効果になります。
机上計算ですが、バッテリー電圧を０．５Ｖほど昇圧した場合と同等の効果です。
ということで、全てにおいて今までの性能を上回ることができました。
といっても、全体からみればびびたるもんなので、体感できるかどうかといった程度の性能向上です（笑
今までとほぼ同等とお考え頂ければＯＫです(^^)
これで点火用ＭＯＳ－ＦＥＴの部品選定ができたので、本年の初出荷となりました♪
さぁ、これからお待たせしているＳＰ－ＴＤＣをじゃんじゃん仕上げていきます(^^)
